ASML在imec的创下出ITFWorld 2024大会上宣布，其首台High-NA（高数值孔径）设备已经打破了之前创下的新的V芯记录，再次刷新了芯片制造密度的片制标准。

经过进一步调整，造密ASML已经使用其High-NA EUV机器打印出8nm密集线条，度记这是录提专为生产环境设计的机器的密度记录。这一记录超过了该公司在2024年4月初创下的创下出10nm密集线条的记录。

ASML前总裁兼首席技术官Martin van den Brink，新的V芯目前担任该公司顾问，片制提出了Hyper-NA（超数值孔径）芯片制造工具的造密激进方案。

该方案旨在通过进一步扩展High-NA产品线，度记来打印更小的录提特征尺寸，从而满足日益增长的创下出芯片性能需求。

Hyper-NA系统将使用相同波长的新的V芯光，但将NA（数值孔径）扩大到0.75 ，片制以实现打印更小的特征尺寸。尽管具体的临界尺寸尚未确定，但ASML给出的晶体管时间表显示，它正在从16nm金属间距向10nm扩展。

Martin van den Brink还概述了一项计划，通过大幅提高未来ASML工具的速度到每小时 400到500个晶圆（wph） ，这是目前200 wph峰值的两倍多，从而降低EUV芯片的制造成本。

他还为ASML未来的EUV工具系列提出了一种模块化统一设计，这可能有助于提高生产效率和灵活性。